menyu
Новости

Радиацион физика ва қаттиқ жисмлар электроника техникаси лабораторияси

                                 
Лаборатория мудири
Ташметов Маннаб Юсупович
Тел. ишхона:
(998-71)-289-37-70
email: mannab @ inp.uz



Тадқиқотларнинг асосий йўналишлари
  • Ярим ўтказгичлар физикаси ва техникаси
  • Қаттиқ жисмлар радиацион физикаси
  • Ярим ўтказгичлар радиацион технологияси

Олиб борилаётган тадқиқотлар

Нурлантириш ва иссиқлик билан рағбатлантириладиган жараёнлардаги қонуниятлар тадқиқ қилинмоқда ва монокристалл холатидаги яримўтказгич материал (кремний) нинг ташқи таъсирлар мавжудлигидаги характеристикаларини яхшилаш мақсадида барқарорлаштирувчи қўшимчалар киритиш технологиялари ишлаб чиқилмоқда.
Легирланган монокристалл кремнийда ва ундан тайёрланган p-n – структураларда ҳосил қилинган киришмали, термик ва радиациявий нуқсон ҳолатларининг типлари ва параметрлари, шунингдек турли ташқи таъсирлар натижасида ҳосил бўладиган тузилиш нуқсонларининг стабилизаторлар билан ўзаро таъсирлашиш механизми ўрганилмоқда.
Стабилизаторлар учта усул билан киритилиши мумкин: кремний монокристалларини ўстириш жараёнида, термик диффузия йўли билан ёки 1012 - 1016 см-3 концентрация оралиғида кристалларда нейтронлар таъсирида юз берувчи трансмутация. Қўшимчалар киритиш пайтида материалнинг механик хоссалари сақланиб қолади, электрофизик, фотоэлектрик ва оптик хоссалари эса белгилаб олинган тартибда бошқарилиши мумкин. Яримўтказгич материаллар ва улардан ясалган асбобларга радиациявий таъсирларнинг тест синовлари бажарилмоқда.
Монокристалл кремний пластиналарини термик диффузия йўли билан бир жинсли легирлаш имконини берувчи стабилловчи қўшимчалар киритилган қаттиқ манбалар олиш технологияси таклиф қилинмоқда.
Атомлар кластерларининг ва қаттиқ жисмлардаги нуқсонли холатларнинг нано-структураларини ҳамда бу системаларнинг ташқи таъсирлар мавжудлигида ўзгариш динамикасини тадқиқ қилиш учун лаборатория ходимлари томонидан таклиф қилинган ноанъанавий кучли боғланиш усули ва молекуляр динамика усулининг комбинациясига асосланган компьютерда моделлаштириш усули ишлаб чиқилмоқда


Қўлланаётган усуллар:

  • Электрик
  • Фотоэлектрик
  • Спектрометрик
  • Структуравий
  • Ядро-таҳлилий
  • Компьютерда моделлаштириш

Лабораториянинг тажриба ўтказиш имкониятлари асоси
 Электронларни 6 МэВ гача тезлатиш имконига эга бўлган “Электроника У-003” чизиқли тезлатгичи ишга туширилди. Тезлатгич электронлар тормозланиши вақтида юзага келувчи нурланишнинг турли материаллар ва буюмларнинг хоссалари ва характеристикаларига таъсирини ўрганиш ҳамда уларнинг хоссалари ва характеристикаларини радиациявий усулда модификация қилишга мўлжалланган.
 Модернизация қилинган компьютерлаштирилган МИК-1 инфрақизил микроскопи

DLTS қурилмаси (чуқур сатҳлар ностационар сиғимий спектроскопияси)

p-n – структуралар олишга қўлланадиган қурилмалар, электрофизик, яримўтказгич материаллар ва улар асосидаги буюмларнинг фотоэлектрик, рекомбинацион ва бошқа параметрлар ва характеристикаларини ўлчашга мўлжалланган асбоб- ускуналар.

Охирги йилларда эълон қилинган энг муҳим мақолалар
  • M.Yu. Tashmetov, A.B. Normurodov, N.T. Sulaymonov, Sh. Makhkamov, F.T. Umarova, A.V. Khugaev, Kh.M. Kholmedov. Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen. J. Nano- Electron. Phys. V. 10, No 3, pp.03011-1-03011-6, (2018).
  • S.R.Allayarova, Yu.A.Ol’khov, N.N.Loginova, M.Yu.Tashmetov, I.I.Sadikov. Features of the Molecular–Topological Structure of γ-Irradiated Powdered Tetrafluoroethylene–Perfluoro(propyl vinyl ether) Copolymer // High Energy Chemistry, 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 79–86.
  • Ю.А.Ольхов, С.Р.Аллаяров, Д.А.Диксон, М.Ю.Ташметов. Влияние гамма-облучения на молекулярно-топологическую структуру сополимера тетрафторэтилена и перфторпропилвинилового эфира // Химия высоких энергий, 2017, том 51, № 3, с. 167–171.
  • М.Ю.Ташметов, У.Т.Ашрапов, А.А.Дорошенко, В.П.Нестеров, К.В.Филатов. Устранение нештатных ситуаций с высокоактивными источниками кобальт-60 // Вопросы атомной науки и техники, Серия: Техническая физика и автоматизация. 2017, № 76, с.53-60.
  • М.Ю.Ташметов, Н.Б.Исматов, Р.П.Саидов, Ш.М.Махкамов. Комплекс радиационной обработки на базе ускорителя электронов “Электроника У-003” // Вопросы атомной науки и техники, 2017, Том 5 (111), с.91-97.
  • М.Ю.Ташметов, Н.Б.Исматов, Р.П. Саидов. Радиационная стерилизация хирургического одноразового халата и простыни из нетканого материал // Вопросы атомной науки и техники, Серия: Техническая физика и автоматизация. 2017, № 77, с.24-35.
  • Ю.Н.Коблик, Г.А.Кулабдуллаев, А.А.Ким, М.Ю.Ташметов, Г.А.Абдуллаева, Г.Т.Джураева, А.Ф.Небесный, Н.Б.Исматов. Цветовой визуальный индикатор поглощенной дозы ионизирующего излучения // Государственное патентное ведомство РУз. Заявка №IAP 20130487 от 26.13.2013. Получен патент на изобретение UZ IAP 05493 от 19.10.2017.
  • М.Каримов, Ш.Махкамов, Н.А.Турсунов, Ш.А.Махмудов, А.Р.Саттиев, А.А.Сулаймонов, А.К.Рафиков/ Способ измерения потока нейтронов кремниевым детектором n- типа // Государственное патентное ведомство РУз. Заявка № IAP 2012166. 27.04.2012 г. Получен патент на изобретение № IAP 05339., в 2017 г.
  • A.P.Mukhtarov, A.B.Normurodov, N.T.Sulaymonov, F.T.Umarova, Sh.Makhkamov. Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2 -Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method // J. Nano- Electron. Phys. 2016, V. 8, No 2, pp.02009-1-02009-8
  • А.З.Рахматов, С.П.Скорняков, А.В.Каримов, М.Ю.Ташметов. Влияние нейтронного облучения на параметры кремниевых ограничителей напряжения и метод прогнозирования их радиационной стойкости // Вопросы атомной науки и техники, серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2016, № 3, с.10-19.
  • М.Ю.Ташметов, Н.Б.Исматов, Р.П.Саидов, Ш.М. Махкамов. Радиационная стерилизация картофельного крахмала и Седоник // Узбекский физический журнал, 2016, Том 18, №2, с.142-146.
  • A.P. Mukhtarov , A. B. Normurodov, N.T. Sulaymonov, F.T. Umarova. Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method. J. Nano- Electron. Phys. V. 7, No 1, pp.01012-1-01012-7, (2015).
  • Sh. Makhkamov, R.A. Muminov, M. Karimov, N.A.Tursunov, A.R.Sattiev, M.N.Erdonov, Kh.M. Kholmedov. Influence of the Conductivity Type of Silicon on the Process of Radiation Degradation of Solar Sells. – Applied Solar Energy, 2013, Vol.49, No 2, pp.62-66.
  • Ш.Махкамов, Р.А.Муминов, М.Каримов, Н.А.Турсунов, А.Р.Саттиев, М.Н.Эрдонов, Х.М.Холмедов. Влияние типа проводимости кремния на процесс радиационной деградации солнечных элементов. – Международный журнал «Гелиотехника» , 2013 В. 2, стр. 2-7.
  • Ш.Махкамов, Р.А.Муминов, М.Каримов, К.П.Абдурахманов, Н.А Турсунов, А.Р.Саттиев, М.Н. Эрдонов, Х.М.Холмедов. Формирование радиационных дефектов в кремниевых солнечных элементах, легированных цинком. – Международный журнал «Гелиотехника» , 2013, В.4.
  • M.Yu.Tashmetov, V.T.Em, Sh.Makhkamov, N.B.Ismatov, C.H.Lee, Y.N.Choi, A.D.Pogrebnjak, U.H.Kalandarov. Neutron Difraction Stydi of Ordered Structures and Phase Transitions in Vanadium Subcarbide. –Journal of Nano- and Electronics Physics. 2013, Vol.5, No 1, pp.1018-1-4.
  • F. T. Umarova, A. B. Normurodov and N. N. Turaeva. Size-dependent structural properties of quasi-one-dimensional silicon clusters. Physica status solidi (c), Volume 9, Issue 10-11, pages 1904–1907, 2012.
  • F.T. Umarova, P.L. Tereshchuk, and A.B. Normurodov. Quasi-One-Dimensional Silicon Clusters as Elements of Novel Nanowires. Nanodevices and Nanomaterials for Ecological Security, NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics, Part 1, pp.143-148, 2012.
Лабораториянинг етакчи илмий ходимлари

  • Лаб. мудири: ф.-м.ф.д., к.и.х.
Ташметов Маннаб Юсупович
Тел: (998-71)-289-37-70
  • Лаб. муд. ўринбосари ф.-м.ф.н.,
Махкамов Шермахмат Махкамович
Тел: (998-71)-289-39-10
  • ф.-м.ф.н., к.и.х.
Каланов Махмуд
Тел:(998-71)-289-26-74
  • ф.-м.ф.н., к.и.х.
Сулаймонов Нодим Тургунпулатович
Тел:(998-71)-289-36-53
  • кич.и.х.
Эрдонов Музаффар Назарович
Тел:(998-71)-289-36-53
  • кич.и.х.
Саттиев Абдулазиз Расулжонович
Тел: (998-71)-289-36-53
  • кич.и.х.
Нормуродов Асрор Базарович
Тел: (998-71)-289-36-53
  • кич.и.х.
Юлдашова Ирода Икрамовна
Тел: (998-71)-289-37-20
  • кич.и.х.
Бобоев Акромжон Йулдошбоевич
Тел: (998-71)-289-26-74